RFD16N05SM
onsemi
Deutsch
Artikelnummer: | RFD16N05SM |
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Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-252AA |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 16A, 10V |
Verlustleistung (max) | 72W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 20 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 50 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 16A (Tc) |
Grundproduktnummer | RFD16 |
RFD16N05SM Einzelheiten PDF [English] | RFD16N05SM PDF - EN.pdf |
N-CHANNEL POWER MOSFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
FAIRCHILD TO252
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
RFD16N05LSM96S5000 Original
RFD16N06L FSC
RFD16N05LSM-NL VB
N-CHANNEL POWER MOSFET
RFD16N06 I
VBSEMI TO252
RFD16N05SLM HARRIS
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
16A, 50V, 0.056OHM, N-CHANNEL,
FAIRCHILD TO252
2024/05/28
2024/09/18
2024/09/9
2024/04/11
RFD16N05SMonsemi |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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